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時代電氣:中車時代半導體擬4.62億元進行碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目

  時代電氣公告,公司控股子公司中車時代半導體擬投資4.62億元進行碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目,項目建設工期24個月。項目建成達產后,將現有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發能力,將現有4英寸SiC芯片線提升到6英寸,將現有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。

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